توضیحات

شبیه ­سازی اتمی خسارات ناشی از تابش، چگونگی مهاجرت مرزها (GBها) و به هم پیوستن آنها در مس دو کریستالی تحت تابش را آشکار می­ سازد. مهاجرت صفحه ای مرزها که توسط جاذبه­ بین توده­ های عیوب (نواقص ساختار) صورت می­گیرد، منجر به حرکت آهسته و پایدار می شود. در ادامه، به هم پیوستن مرزدانه ها منجر به ایجاد سطحی منحنی می شود؛ به طوریکه مهاجرت ناشی از انحنا با سرعتی سه برابر بیشتر از مرز صفحه ای بر آن حرکت غلبه کرده و رشد سریع دانه را به همراه خواهد داشت. در این تحقیق مکانیزم­ های اتمی رشد دانه در اثر تابش آشکار شده و کاربردهای آن در نانوساختارهای تحت تابش مهندسی نیز بیان گردیده است.